Мікросхема AP4501GSD p+n ch 30 V 5.3 A DIP-8

Найменування приладу: AP4501GSD

Тип транзизора: MOSFET

Полярність: NP

Максимальна розсіювана потужність (Pd): 2 W

Гранично допустима напруга стик-висток ⁇ Uds ⁇ : 30 V

Гранично допустима напруга затвор-висток ⁇ Ugs ⁇ : 20 V

Максимально допустимий постійний струм стоку ⁇ Id ⁇ : 7(5) A

Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C

Час наростання (tr): 5 (7) ns

Вихідна ємність (Cd): 150(180) pf

Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.027 (0.049) Ohm

Тип корпуса: PDIP8