Мікросхема AP4501GSD p+n ch 30 V 5.3 A DIP-8
Мікросхема AP4501GSD p+n ch 30 V 5.3 A DIP-8
Умови повернення та обміну
Умови гарантії
38,60 ₴
Мін. сума замовлення у продавця 50 ₴
В наявності 29 шт.
Доставка
Самовивіз в м. КиївБезкоштовно
Нова Пошта70 - 90 ₴
Оплата
Оплата на картку «Приватбанк» 
Оплата на картку «Monobank» 
Оплата за реквізитами на розрахунковий рахунок Оплата під час самовивезення по м. офіс компанії Опис
Найменування приладу: AP4501GSD
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: NP
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 2 W
Гранично допустима напруга стик-висток ⁇ Uds ⁇ : 30 V
Гранично допустима напруга затвор-висток ⁇ Ugs ⁇ : 20 V
Максимально допустимий постійний струм стоку ⁇ Id ⁇ : 7(5) A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Час наростання (tr): 5 (7) ns
Вихідна ємність (Cd): 150(180) pf
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.027 (0.049) Ohm
Тип корпуса: PDIP8
Характеристики
Код товару
ДК-55
Виробник
PD