Найменування: GT35J321
   Тип транзизора: IGBT
   Тип керівного каналу: N-Channel
   Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 75
   Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
   Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 25
   Максимальний постійний струм колектора Ic @25°C, A: 37
   Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 1.9
   Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
   Тип корпусу: TO-3PN

Дивіться також

Mosfet Npn транзистор Smd транзистор Транзистор irf740 Транзистори igbt

Покупцям

Умови повернення та обмінуУмови гарантії