Про нас
Контакти
Товари та послуги
Радіоелектричні елементи, електронні компоненти
Поле та транзистори IGBT
Транзистор TK7P60W TO-252

Транзистор TK7P60W TO-252

Копіювати посилання
Транзистор TK7P60W TO-252 від компанії Сервісний центр WINTEX - фото 1
Умови повернення та обміну
Умови гарантії
17,02 ₴
Мін. сума замовлення у продавця 50 ₴
Немає в наявності

Доставка

Самовивіз в м. Київ
Безкоштовно
Нова Пошта
70 - 90 ₴
Детальніше про доставку

Оплата

Оплата на картку «Приватбанк»
Оплата на картку «Monobank»
Оплата за реквізитами на розрахунковий рахунок
Оплата під час самовивезення по м. офіс компанії

Опис

TK7P60W

Power MOSFET (N-ch 500V

Description

Application Scope Switching Voltage Regulators
Polarity N-ch
Generation DTMOSⅣ
Internal Connection Single
RoHS Compatible Product(s) (#) Available
Assembly bases China

Package Information

Toshiba Package Name DPAK
Package Image DPAK
Pins 3
Mounting mount-smd
Width×Length×Height
(mm)		 6.6×10.0×2.3
Package Dimensions View
Land pattern dimensions View

 Please refer to the link destination to check the detailed size.

Absolute Maximum Ratings

Characteristics Symbol Rating Unit
Drain-Source voltage VDSS 600 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
Drain current ID 7.0 A
Power Dissipation PD 60 W

Electrical Characteristics

Characteristics Symbol Condition Value Unit
Gate threshold voltage (Max) Vth - 3.7 V
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 600 mΩ
Input capacitance (Typ.) Ciss - 490 pF
Total gate charge (Typ.) Qg VGS=10V 15 nC

Document

 Data sheet  TK7P60W Data sheet/Japanese [Sep,2014] (PDF: 364KB)
 Data sheet  TK7P60W Data sheet/English [Sep,2014] (PDF: 243KB)
 PSpice  PSpice Model [Aug,2013] (lib: 3KB)
 PSpice  PSpice G1 model:This simulation model can express unique electrical characteristics of the high-voltage MOSFET. [Sep,2017] (lib: 28KB)
 Reliability Information  Reliability Data [Mar,2017] (PDF: 160KB)
 Application Note  Structures and Characteristics: Power MOSFET Application Notes [Jul,2018] (PDF: 331KB)
 Application Note  Maximum Ratings: Power MOSFET Application Notes [Jul,2018] (PDF: 705KB)
 Application Note  Electrical Characteristics: Power MOSFET Application Notes [Jul,2018] (PDF: 603KB)
 Application Note  Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design: Power MOSFET Application Notes [Jul,2018] (PDF: 848KB)
 Application Note  Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin: Power MOSFET Application Notes [Jul,2018] (PDF: 789KB)
 Application Note  Parasitic Oscillation and Ringing: Power MOSFET Application Notes [Jul,2018] (PDF: 1394KB)
 Application Note  Parasitic Oscillation between Parallel Power MOSFETs: Power MOSFET Application Notes [Jul,2018] (PDF: 1178KB)
 Application Note  MOSFET Gate Drive Circuit: Power MOSFET Application Notes [Jul,2018] (PDF: 1215KB)
 Application Note  Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs: Power MOSFET Application Notes[Jul,2018] (PDF: 846KB)
 Application Note  MOSFET Avalanche Ruggedness: Power MOSFET Application Notes [Jul,2018] (PDF: 616KB)
 Application Note  Hints and Tips for Thermal Design for Discrete Semiconductor Devices [Jul,2018] (PDF: 1266KB)
 Application Note  Calculating the Temperature of Discrete Semiconductor Devices [Jul,2018] (PDF: 965KB)
 Application Note  Derating of the MOSFET Safe Operating Area [Jul,2018] (PDF: 656KB)
 Application Note  MOSFET Self-Turn-On Phenomenon [Jul,2018] (PDF: 1338KB)
 Application Note  Discrete Semiconductor Devices Hints and Tips for Thermal Design Part 2[Jul,2018] (PDF: 1069KB)
 Catalog  MOSFETs [Mar,2016] (PDF: 2526KB)
 Catalog  Part Number List: MOSFETs [Mar,2016] (PDF: 1295KB)

 Batch Download (You can download multiple files at a time.)

  •  

 

Характеристики

Код товару
СК-10(7)+ ДК-194
Дивіться також
Npn транзистор Smd транзистор Транзистор irf740 Транзистори igbt Транзистор 2n3904