Транзистор FDD1600N10ALZ, MOSFET N-CH 100V 6.8A to-252

Найменування приладу: FDD1600N10ALZ

Тип транзизора: MOSFET

Полярність: N

Максимальна розсіювана потужність (Pd): 14.9 W

Гранично допустима напруга стік-висток (Uds): 100 V

Гранично допустима напруга затвор-висток (Ugs): 20 V

Порогова напруга ввімкнення Ugs (th): 2.8 V

Максимально допустимий постійний струм стоку (Id): 6.8 A

Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C

Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.16 Ohm

Тип корпусу: TO252