Транзистор RJP30K3 40A, 360V, Silicon N Channel IGBT
Транзистор RJP30K3 40A, 360V, Silicon N Channel IGBT
Умови повернення та обміну
Умови гарантії
18,68 ₴
Мін. сума замовлення у продавця 50 ₴
В наявності
Доставка
Самовивіз в м. КиївБезкоштовно
Нова Пошта70 - 90 ₴
Оплата
Оплата на картку «Приватбанк» 
Оплата на картку «Monobank» 
Оплата за реквізитами на розрахунковий рахунок Оплата під час самовивезення по м. офіс компанії Опис
RJP30K3
Part Number : RJP30K3DPP-M0
Function : 40A, 360V, Silicon N Channel IGBT, Transistor
Package : TO-220FL Type
Maker : Renesas Electronics
Pinouts :
Description :
1. Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
2. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.1V typ
3. High speed switching tr = 90 ns typ, tf = 250 ns typ
4. Low leak current ICES= 1 uA max
5. Isolated package TO-220FL
Характеристики
Код товару
ДК-229
Виробник
RENESAS