Транзистор NTMFS4C10NT1G QFN-8

4C10N NTMFS4C10N NTMFS4C10NT1G QFN-8 Chip

Найменування приладу: NTMFS4C10N

Маркування: 4C10N

Тип транзизора: MOSFET

Полярність: N

Максимальна розсіювана потужність (Pd): 0.75 W

Гранично допустима напруга стик-висток ⁇ Uds ⁇ : 30 V

Гранично допустима напруга затвор-висток ⁇ Ugs ⁇ : 20 V

Порога напруга увімкнення ⁇ Ugs(th) ⁇ : 2.2 V

Максимально допустимий постійний струм стоку ⁇ Id ⁇ : 8.2 A

Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C

Загальний заряд затвора (Qg): 9.7 nC

Час наростання (tr): 34 ns

Вихідна ємність (Cd): 574 pf

Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.00695 Ohm

Тип корпусу: SO-8FL