Транзистор JNG75T120LS igbt to-264

Найменування: JNG75T120LS

Тип транзизора: IGBT + Diode

Тип керівного каналу: N

Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 520

Гранично-допустима напруга колектор-емітер ⁇ Vce", V: 1200

Максимально допустима напруга іміттер-закрива ⁇ Vge ⁇, V: 30

Максимальний постійний струм колектора ⁇ Ic ⁇ @25°C, A: 150

Напруга насичення колектор-емітер типова ⁇ VCE (sat) ⁇, V: 1.95

Максимальна порогова напруга затвор-емітер ⁇ VGE(th) ⁇, V: 6.5

Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150

Час наростання типова (tr), nS: 333

Ємність колектора типова (Cc), pf: 334

Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 276

Тип корпусу: TO264