Мікросхема AP4501GM p+n ch 30 V 5.3 A so-8
Мікросхема AP4501GM p+n ch 30 V 5.3 A so-8
Умови повернення та обміну
Умови гарантії
38,60 ₴
Мін. сума замовлення у продавця 50 ₴
В наявності
Доставка
Самовивіз в м. КиївБезкоштовно
Нова Пошта70 - 90 ₴
Оплата
Оплата на картку «Приватбанк» 
Оплата на картку «Monobank» 
Оплата за реквізитами на розрахунковий рахунок Оплата під час самовивезення по м. офіс компанії Опис
Type Designator: AP4501GM
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: NP -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 2 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Drain Current |Id|: 7(5.3) A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 5(10) nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 150(80) pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.028(0.05) Ohm
Package: SO8
Характеристики
Код товару
CК-20(3)
Виробник
PD