Наименование: STGB19NC60KD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GB19NC60KD
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 127 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 55 nC
   Тип корпуса: D2PAK

STGB19NC60KD

Дивіться також

Arduino плати Термістор NTC Панельки для мікросхем Понижуючі перетворювачі Кнопка SMD Стабілітрони Симистор Arduino Nano Мікроконтролери Rs485 usb Плати підсилювача Atmega2560 Atmega128 Microchip Cp2102

Покупцям

Умови повернення та обмінуУмови гарантії