Транзистор JNG50N120LS igbt+diod 100A 1200V TO-247

Найменування: JNG50N120LS

Тип транзизора: IGBT + Diode

Тип керівного каналу: N

Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 520

Гранично-допустима напруга колектор-емітер ⁇ Vce", V: 1200

Максимально допустима напруга іміттер-закрива ⁇ Vge ⁇, V: 30

Максимальний постійний струм колектора ⁇ Ic ⁇ @25 °C, A: 100

Напруга насичення колектор-емітер типова ⁇ VCE(sat) ⁇, V: 2.1

Максимальна порогова напруга затвор-емітер ⁇ VGE(th) ⁇, V: 6

Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150

Час наростання типова (tr), nS: 95

Місткість колектора типова (Cc), pf: 360

Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 340

Тип корпусу: TO264